【CPP114】訊：東芝與英特爾和三星電子計(jì)劃建立一個(gè)財(cái)團(tuán)，并邀請約10家半導(dǎo)體材料及相關(guān)企業(yè)加入，以到2016年共同開發(fā)出半導(dǎo)體線寬減半至近10納米的新芯片技術(shù)。
 

　　綜合媒體10月29日報(bào)道，東芝公司(toshiba corp.)將與英特爾(intel corp.)和三星電子(samsung electronics co.)共同合作，以到2016年開發(fā)出半導(dǎo)體線寬減少逾一半至近10納米的技術(shù)。
 

　　據(jù)《日經(jīng)新聞》(nikkei)10月29日早刊報(bào)道，這三家芯片制造商計(jì)劃很快建立一個(gè)財(cái)團(tuán)，并邀請10家左右的經(jīng)營半導(dǎo)體材料及相關(guān)領(lǐng)域的企業(yè)加入。這些企業(yè)中預(yù)計(jì)將包括全球最大光致抗蝕劑生產(chǎn)商jsr corp.、世界排名第1和第2的光掩膜制造商大日本印刷公司(dai nippon printing co.)和日本凸版印刷公司(toppan printing co.)、以及世界排名第2的芯片制造商東京電子(tokyo electron ltd.)。
 

　　這個(gè)財(cái)團(tuán)將在茨城縣筑波公私合營工廠開展研發(fā)工作。
 

　　日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省(ministry of economy, trade and industry)預(yù)計(jì)將為該研發(fā)工作約100億日圓的啟動(dòng)資金提供約50億日圓資金，其余部分可能將來自于財(cái)團(tuán)成員企業(yè)。
 

　　這將標(biāo)志著首次有日本公私合營半導(dǎo)體開發(fā)項(xiàng)目接納了外國芯片制造商為主要成員企業(yè)。日方認(rèn)為，考慮到大量的開發(fā)成本和競爭的加劇，最好的選擇是與全球第一大及第二大芯片制造商英特爾和三星電子攜手合作。
 

　　該財(cái)團(tuán)的工作將集中于半導(dǎo)體微影制程技術(shù)，該技術(shù)用于創(chuàng)建硅片電路。

　　隨著紫外線曝光設(shè)備預(yù)計(jì)將于2012年或以后登錄市場，最小的理論半導(dǎo)體電路寬度將減少到10納米。但實(shí)際上大規(guī)模生產(chǎn)的線寬接近這一數(shù)字的芯片將需要諸如光刻膠樹脂和光掩膜等材料的改進(jìn)，以及芯片制造設(shè)備的改良。
 

　　東芝和三星電子計(jì)劃利用該技術(shù)制造10納米級nand閃存和其他芯片。更窄的電路預(yù)計(jì)將使內(nèi)存芯片的存儲(chǔ)能力增加兩倍，從而使一張郵票大小的芯片容納400千兆字節(jié)成為可能，即相當(dāng)于約100個(gè)高清晰度電影。
 

　　英特爾可能將利用這一技術(shù)開發(fā)更快的微處理器。


　
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